目次
※以下の半導体製造工程「前工程」「後工程」については、一般社団法人 日本半導体製造装置協会の公式サイトより引用しています。
半導体製造工程～前工程～
半導体設計用装置 – 回路設計・パターン設計
小さなチップの中に、どのような回路を、いかに効率よく配置するかなど、回路図を作り検討を重ねます。
マスクレチクル用製造装置 – フォトマスク作成
マスクはICのパターンをウェーハに焼付けするための写真のネガに相当します。
ウェーハ製造用装置 – ウェーハ製造
インゴットの引き上げ
多結晶をドーフ剤と共に石英ルツボの中で溶融し、種結晶棒を回転させながら徐々に引上げ必要な太さの単結晶棒（インゴット）をつくります。
インゴットの切断
インゴットをダイヤモンドブレードで所定の厚さに切断し、ウェーハをつくります。
ウェーハの研磨
ウェーハの表面を鏡面状に研磨します。
ウェーハプロセス用処理装置 – 素子形成（ウェーハプロセス）・電極形成／ウェーハ検査
ウェーハの酸化
ウェーハを高温の拡散炉（900°C～1,100°C）の中で酸化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。
フォトレジスト塗布
フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハに感光性を持たせます。
ウェーハ表面にパターン形成
フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。
エッチング
エッチングして部分的に酸化膜を除去します。その後、不要なレジストも取り除きます。
酸化・拡散・CVD・イオン注入
ウェーハにイオンを注（(ボロン、リン）や高温拡散を行うとシリコンが出ている部分だけが半導体になります。
平坦化（CMP）
ウェーハ表面を研磨し、パターンの凹凸を平坦化します。 ↓ フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返し、ウェーハにトランジスタなど必要な素子を作り込みます。
電極形成
不活性ガスプラズマによりアルミターゲットをスパッタリングし、ウェーハ表面に電極配線用のアルミ金属膜を形成します。
ウェーハ検査
ウェーハをチップごとに試験し、良品・不良品の確定をし、不良品にはマークをつけます。 次のページ（3ページ目）…半導体製造工程「後工程」について
